# факты | Память изменчивой формы поменяет флешки

    Китайскими учеными сотворен новейший экологически незапятнанный металл для электроники. 50 атомов алюминия сопряжены с 50 атомами сурьмы. Этот металл потенциально возможно применен в модулях энергонезависимой компьютерной памяти последнего поколения «с переменчивой фазой» («phase-change»). Согласно публикации в научном журнальчике Applied Physics Letters, на который ссылается сетевой вестник науки e! Science News, заданная разработка может определить применение в предстоящих накопителях инфы.

    # факты | Память изменчивой формы поменяет флешки

    Память «с переменчивой фазой» может придти на замену получившей повсеместное распространение флеш-памяти, основанной на последующих принципах.

    Память «с переменчивой фазой» базирована на материалах, кои способны поменять форму. Под влиянием электромагнитного импульса они из непонятных стают кристаллическими. Этакий материал в собственном бесформенном состоянии владеет высоченным электромагнитным сопротивлением и низкорослым сопротивлением в кристаллическом состоянии. Эти два состояния соответствуют «1» и «0» в двоичной системе.

    Флеш-память и не очень подступает для наименее чем 20-нанометровых модулей, в то время как только модули памяти «с переменчивой фазой» умеют быть наименее чем 10-нанометровыми. Это же дозволит расположить все больше баночки памяти на наименьшем пространстве.

    Представитель Шанхайского колледжа микросистем и информационных технологий Академии Китая Ксилин Жоу помечает:

    Это же более значимая индивидуальность заданного типа памяти.

    Он прибавляет, что заданные максимально резво записываются в память «с переменчивой фазой» и ее модули будут сравнимо дешево стоить.

    До сего времени самыми расходуемыми в производстве памяти этакого типа были составы, содержащие германий, сурьму и теллур. Однако целесообразность комбинировать три элемента усложняла работу над многообещающей памятью «с переменчивой фазой».

    Ксилин Жоу объясняет темперамент сложностей, с которыми исследователи сталкивались раньше, перед началом сотворения новенького металла:

    Мудрено держать под контролем процесс изготовления памяти «с переменчивой фазой» на базе утроенного металла, в который классически входили германий, сурьма и теллур. Травление и чистка материала халькогенами могла сконфигурировать его состав из-за движения атомов теллура.

    Ксилин Жоу со собственными сотрудниками смогли свести состав материала всего к двум элементам: алюминию и сурьме. Ими были исследованы навыки материала поменять форму. Заданный состав наиболее термостойкий, чем металл германия, сурьмы и теллура. Металл Al50Sb50 владеет тремя уровнями сопротивления. Это же предлагает вероятность сохранить три бита заданных (а уж и не два) в одной ячейке памяти этакого типа. Это же дозволит применять заданный материал в производстве многоуровневых накопителей инфы.

    Мыслях об фолиант, чем вытеснить флеш-память у ученых много. К примеру, ее дают поменять резистивным накопителем.