Пиксели смартфонных экранов «подсказали» лазерный способ изготовления графена

    Почти все современные телефоны владеют колоритными AMOLED-дисплеями. Под каждым отдельным пикселем скрываются как только минимум два кремниевых транзистора, общее создание которых осуществляется с применением технологий лазерного отжига. Увлекательно, что схожий процесс может употребляться а также и для генерации кристаллов графена. Графен — крепкий и плоский углеродный наноматериал, привлекающий внимание ученых со всего мира собственными восхитительными качествами, проявляющимися в навыки проводить электричество и тепло.

    Пиксели смартфонных экранов «подсказали» лазерный способ изготовления графена

    Пиксели смартфонных экранов «подсказали» лазерный способ изготовления графена

    В то время как только классические способы просят температур выше 1000°C, лазерная разработка дозволяет добиться такого же самого результата при наиболее малорослых температурах, пригодных даже к пластмассовым подложкам (кои плавятся при температуре наименее 300°C).

    Исследовательская группа доктора Кеона Джэ Ли (KEON Jae Lee) из Центра многомерных углеродных материалов Колледжа базовой науки (IBS) и команда доктора Чхве Санг Юла (CHOI Sung-Yool) из Корейского колледжа ведущих технологий (KAIST) вместе отыскали механизм синтеза графена с внедрением индуцированного лазером зонирования фаз, используемого к твердотельному материалу — однокристальному карбиду кремния (SiC).

    Результаты сего научные исследования, кои были размещены в издании Nature Communications, заносят ясность в фолиант, как только рассмотренная лазерная разработка способна делить сложноватое соединение (SiC) на ультратонкие элементы углерода и кремния.

    Хотя раньше в процессе пары базовых исследовательских работ был осознан спецэффект влияния эксимерного лазера на трансформацию этаких частей, как только кремний, влияние лазера на наиболее сложноватые стыки, аналогичные SiC, изучались изредка из-за трудности фазового перехода стыки и ультракороткого времени, в течение коего происходит заданный процесс.

    Показанные свыше изображения, приобретенные Университетом базовой науки под микроскопом с высоченным разрешением, вместе с внедрением способа молекулярной динамики, дозволили исследователям найти, как только одноимпульсное излучение эксимерным лазером на базе хлорида ксенона за 30 наносекунд расплавляет карбид кремния и тем приводит к выделению водянистого слоя SiC и неупорядоченного углеродного слоя с графитовым доменом (подле 2,5 нанометров в толщину) на поверхности. Под углеродным слоем размещается кремниевый слой, толщина коего составляет приблизительно 5 нанометров.

    Применение доп импульсов приводит к сублимации выделенного кремния, в то время как только неупорядоченный углеродный слой трансформируется в мультислойный графен.

    Доктор Кеон помечает, что заданное изучение демонстрирует способности пользования при разработке новеньких поколений двумерных наноматериалов технологии лазерного влияния на материалы.

    Доктор Чхве дополняет слова собственного коллеги, подчеркивая, что пользование индуцированного лазером зонирования фаз в применении к трудным стыкам может в дальнейшем дозволить синтезировать новейшие типы двумерных наноматериалов.

    По материалам sciencedaily.com