Самсунг первой начала выпуск микросхем памяти LPDDR3 объемом 3 Гигабайтах

    Южнокорейская корпорация Самсунг официально сказала об начале массового изготовления первых во всем мире модулей оперативки типа LPDDR3 объемом 3 Гбайта, исполненных по нормам 20-нанометрового технологического процесса. Новейшие чипы ориентированы на пользование в мобильных приборах последующего поколения.

    Самсунг первой начала выпуск микросхем памяти LPDDR3 объемом 3 ГБ

    Новость Самсунг воображает собой шесть 20-нм микросхем памяти типа LPDDR3 герметичностью 4 Гбита, заключенных в корпусе шириной 0,8 мм. Скорость телепередачи заданных в 20-нм чипах Самсунг добивается 2133 Мегабит/с. Габаритные размеры модулей памяти незначимые, что оставляет все больше пространства для наиболее вместительной аккумуляторы.

    Заданная новинка в еще один раз подтверждает ранешние слухи об фолиант, что телефон Самсунг Galaxy Note 3 получит 3 Гбайт оперативки.

    Напомним, что недавно корпорация SK Hynix официально провозгласила об разработке микросхем памяти типа LPDDR3 герметичностью 8 Гбит, рассчитанных на выпуск по нормам такого же 20-нм технологического процесса, на основе которых уже в финале сего года выйдут модули памяти объемом 4 Гбайта.