Самсунг продолжает восхищать: покорен 5-нм техпроцесс

    Вчера мы докладывали об фолиант, что южнокорейская корпорация Самсунг изумила любых новинкой об фолиант, что ведет разработку направления изготовления первой во всем мире 10-нм полупроводниковой технологии FinFET. За исключением тамошнего, корпорация не так давно начала общее создание 14-нм FinFET чипсетов, кои она планирует начать применять в самое последнее время. Освоение 14-нм техпроцесса изготовления чипов дозволяет Самсунг вырываться далековато вперед собственных соперников.

    Самсунг продолжает восхищать: покорен 5-нм техпроцессКонечно, предприятия гораздо лишь предстоит «нарастить мышцы» перед началом уровня этаких великанов в производстве чипов, как только Qualcomm и Intel, но южнокорейская корпорация очевидно готовится к всеполноценной битве на равных. Да и это же гораздо и не все.

    Ежели вы думаете, что 10-нм техпроцесс изготовления и без тамошнего уже является практически фантастикой, то что вы скажете по поводу тамошнего, что на той самой же конференции Solid State Circuits Conference (ISSCC) в Сан-Франциско президент изготовления полупроводниковой продукции Ким Ки Нам заявил, что предприятия полностью по силам создание чипов на базе 5-нм техпроцесса, так как «данная разработка и не имеет базовых трудностей».

    Президент полупроводникового бизнеса южнокорейской предприятия а также поделился об фолиант, что инженеры предприятия отыскали метод пользования техпроцесса изготовления прямо до 3,2-нм. Конечно, здесь же встает вопросец об фолиант, какой же материал Самсунг в итоге изберет для освоения и изготовления настолько неописуемого техпроцесса. В свое время корпорация Intel гласила об фолиант, что пользование кремния становится неосуществимым при переходе техпроцесса ниже 7-нм. В итоге сего одним из потенциальных решений для Самсунг может являться пользование арсенида галлия-индия (InGaAs), который уже используется при производстве сверхточной электроники и по сопоставлению с кремнием владеет привилегией ввиду наибольшей подвижности носителей заряда.