Телефоны с 4 Гбайтами оперативки покажутся уже в финале года

    Гораздо сначала мая корпорация Самсунг официально провозгласила об начале массового изготовления микросхем памяти типа LPDDR3 герметичностью 4 Гбита по нормам 20-нм технологического процесса. Новейшие чипы намного скорее и потребляют все меньше энергии по сопоставлению со старенькыми микросхемами типа LPDDR2, однако размер памяти на одном чипе остался прежним – 0,5 Гбайта.

    Телефоны с 4 Гбайтами оперативки покажутся уже в финале года

    При сегодняшних производственных способностях сплочение четверых микросхем памяти заданного типа в корпусе шириной 0,8 мм предлагает модуль памяти объемом 2 Гбайта.

    Корпорация SK Hynix решила поправить эту возмутительную несправедливость и официально провозгласила об разработке микросхем памяти типа LPDDR3 герметичностью 8 Гбит, рассчитанных на выпуск по нормам такого же 20-нм технологического процесса. Что это же подарит? Ответ предельно ясен – телефоны высшего ценового сектора получат 4 Гбайта оперативки заместо обычных 2 Гбайт. По словам производителя, первые телефоны с 4 Гбайтами оперативки покажутся уже в финале текущего года.

    Новейшие 20-нм чипы типа LPDDR3 изготовления SK Hynix вдвое скорее, чем них предшественники LPDDR2 и причем потребляют на 10 процентов все меньше электроэнергии в режиме ожидания.

    Скорость телепередачи заданных в 20-нм чипах SK Hynix добивается 2133 Мегабит/с. При пользовании 32-битного интерфейса пропускная способность памяти составляет перед началом 8,5 Гбит/с в одноканальном режиме и перед началом 17 Гбит/с – в двухканальном. Напряжение питания составляет всего 1,2 В.

    Новинки будут поставляться в корпусах типа PoP(Package on Package) и eMMC (embedded Multi Media Card). Первые многоопытные эталоны чипов уже отгружаются заказчикам, а уж общее создание намечено на финал текущего года.