Технологии грядущего: транзисторы из индий-галлий-арсенида

    Ученые из Массачусетского технологического колледжа (MIT) умеют внести несколько поправок в закон Мура с выходом 22-нм транзистора из индий-галлий-арсенида.

    Транзисторы заданного типа умеют предоставить все больше затворов, нужных приборам для тамошнего, дабы переключаться меж одним из двух состояний (вкл. и выкл.), по сопоставлению с кремниевыми транзисторами, кои сейчас употребляются в микропроцессорах. Длина затворов в имеющихся сейчас кремниевых трехмерных транзисторах составляет 22 нм. Ученые уже разрабатывают конструкции, кои дозволят применять наиболее краткие затворы (14-нм техпроцесс). Рубеж в 10-нм, по оценкам разнообразных профессионалов, будет достигнут к 2018 году. После чего способности кремния будут исчерпаны (все больше его дробить нереально) и придется находить новейший материал для транзисторов.

    «Мы продемонстрировали, что транзисторы MOSFET из индий-галлий-арсенида при уменьшении объемов и не теряют свои главные параметры. С помощью их получится достигнуть новеньких вершин в промышленности нанотехнологий и компьютерной техники, кои были недостижимыми для кремниевых решений, упирающихся в принципы закона Мура»

    , — заявил управляющий проекта Хесус дель Аламо (Jesus del Alamo).

    В дальнейшем многообещающая разработка поспособствует повышению количества транзисторов в одном чипе и уменьшения объема кристалла, что обеспечит объемной рывок в производительности.

    В последнее время ученые сосредоточатся на совершенствовании параметров транзисторов и освоение 10-нм норм них изготовления.

    Родник: Engadget.com